日前，Inquirer透露了三星未来的内存蓝图。据悉，三星将于今年第四季度推出DDR 400内存。同时，DDR 333内存将加大出货量。三星DDR 400内存最初的规格是128MB 2.5v电压。明年第一季度，三星会推出256MB容量的DDR 400内存。
DDR 333方面，三星将于明年底推出1GB容量的产品。DDR-II方面，三星将会于今年第四季度推出1.8v电压的667/533/400 DDR-II内存，容量是512MB。
三星明年还计划推出221/166MHz的SDR内存，专门针对显卡市场，其采用了不同于现在的芯片核心类型，G-die。明年，三星还将推出800/400MHz 2.5v电压的GDDR SDRAM，下半年GDDR-II SDRAM也将问世，其工作频率是1400/666Mbps。
